電験三種|トランジスターの要点

学習内容
  • トランジスタの構造
  • トランジスタの動作原理
  • FETのしくみ

電験三種【理論】ではトランジスタの仕組みについて問われる問題が出題されます。

ももよし
ももよし

トランジスタの構造と動作原理が重要なポイントだよ

目次

トランジスタの構造

トランジスタはp形半導体とn形半導体でできており、3つの半導体でサンドイッチを作ったような構造をしています。

3つの半導体それぞれに端子が接続されており

  • B:ベース
  • C:コレクタ
  • E:エミッタ

と呼びます。

トランジスタの動作原理

C-E間だけに電圧を加えた場合、
n-pの順で接続されている上側では空乏層が広がり、電流が流れることができません。

そこで、B-E間にも電圧を加えることでB-E間には電子の移動を起こし、エミッタ側の電子が移動しやすい環境を作る必要があります。

ベース電流を流すと、その大きさに応じてコレクタ電流が流れます。

電流増副作用

エミッタ電流\(I{}_E\)は、ベース電流\(I{}_B\)とコレクタ電流\(I{}_C\)の和で求められます。

$$I{}_E=I{}_B+I{}_C$$

また、コレクタ電流\(I{}_C\)とベース電流\(I{}_B\)の比を電流増幅率といいます。

$$h{}_{FE}=\frac{I{}_C}{I{}_B}$$

トランジスタの特性

電界効果トランジスタ

nチャネル形の場合は、上図のpとnがそれぞれ入れ替えた構造になります。

電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor)の頭文字をとりFETと呼ばれることもあります。

電界効果トランジスタの動作原理

接合型FETでは空乏層の大きさをコントロールし、流れる電流の大きさを変化させています。

絶縁ゲート形(MOS FET)にはエンハンスメント形とデプレッション形があります。

エンハンスメント形は、ゲート電圧を加えてキャリアの通り道を広げます。

一歩、デプレッション形は、あらかじめチャネル(キャリアの通り道)を作っておき、ゲート電圧によって道を狭くします。


この分野が出題年度
H23,H17,H16,H15,H11

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この記事を書いた人

中学校教師から電気エンジに転職し現在は66kV/155MWの工場で電気主任技術者として活動中です。
電験3種、電験2種を独学で合格した経験から、初心者がつまづきやすいポイントをどこよりもわかりやすく解説する電験ブログを目指して活動しています。
2023年より、電験三種のオンライン家庭教師も始めました!
目標は、電気監理技術者と独立し、年収1000万以上を達成することです。

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